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结构表征证实经适当刻蚀(MoO3(II),支志愿氢气等离子刻蚀10分钟)后,支志愿所制备样品的范德华间隙(vdW间隙)扩大并且带隙减小,过度的刻蚀会导致材料碎裂严重且形貌破坏。服务文献链接:LiqiangMai,*JinzhiSheng,LinXu,ShuangshuangTan,andJiashenMeng,One-DimensionalHetero-NanostructuresforRechargeableBatteries,Acc.Chem.Res.,2018,51,950−959.9.管中棒状氮掺杂空心碳管包覆锑复合材料麦立强教授和法国洛林大学Jean-JacquesGaumet教授课题组在国际知名期刊AdvancedEnergyMaterials(影响因子:16.721)上在线发表题为Bottom-UpConfinedSynthesisofNanorod-in-NanotubeStructuredSb@N-CforDurableLithiumandSodiumStorage的文章。通过一系列的谱学测试发现,绘q护n型半导体g-C3N4的引入使得MoB/g-C3N4界面处产生了明显的电荷再分布,增加了MoB表面的局部电子密度。
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